為了更加直觀地探究納米世界，大量研究者致力于發(fā)展高時(shí)間-空間分辨能力的微納探測(cè)技術(shù)。日前，北京大學(xué)物理學(xué)院介觀物理國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、納光電子前沿科學(xué)中心龔旗煌院士團(tuán)隊(duì)在國(guó)家重大科研儀器研制項(xiàng)目的支持下，研制成功“飛秒-納米超高時(shí)空分辨光學(xué)實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)”。該實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)能夠同時(shí)實(shí)現(xiàn)幾個(gè)飛秒的超高時(shí)間分辨率和四納米的超高空間分辨率，成為介觀光學(xué)與微納光子學(xué)研究的強(qiáng)大實(shí)驗(yàn)測(cè)量手段。

最近研究團(tuán)隊(duì)利用超高時(shí)空分辨光發(fā)射電子顯微鏡（PEEM），首次從近場(chǎng)微觀角度揭示了局域表面等離激元近場(chǎng)增強(qiáng)與退相干時(shí)間的內(nèi)在關(guān)聯(lián)，相關(guān)研究成果以標(biāo)題“Correlation between near-field enhancement and dephasing time in plasmonic dimers”于4月24日發(fā)表在物理學(xué)權(quán)威期刊《物理評(píng)論快報(bào)》（Physical Review Letters, DOI:10.1103/PhysRevLett. 124.163901）上。

研究團(tuán)隊(duì)還首次從時(shí)間和能量布居演化兩個(gè)維度全面揭示了單層WS2超快電子冷卻和弛豫動(dòng)力學(xué)過(guò)程，相關(guān)成果以標(biāo)題“Ultrafast Electron Cooling and Decay in Monolayer WS2 Revealed by Time- and Energy-Resolved Photoemission Electron Microscopy”于4月3日發(fā)表在納米領(lǐng)域重要期刊《納米快報(bào)》（Nano Letters, DOI:10.1021/acs.nanolett.0c00742）上。

在表面等離激元光子學(xué)實(shí)驗(yàn)中，利用PEEM高空間分辨率的優(yōu)勢(shì)直接觀測(cè)到金納米結(jié)構(gòu)二聚體陣列體系中局域表面等離激元模式的近場(chǎng)分布（圖1），通過(guò)激發(fā)光波長(zhǎng)依賴的光發(fā)射強(qiáng)度測(cè)量和基于超短脈沖的光發(fā)射自相關(guān)測(cè)量，分別獲得同一結(jié)構(gòu)的表面等離激元的近場(chǎng)增強(qiáng)和退相干時(shí)間，發(fā)現(xiàn)兩者之間的關(guān)聯(lián)依賴于金納米結(jié)構(gòu)二聚體間隙和激發(fā)光的偏振方向（圖2和圖3），首次揭示出這種關(guān)聯(lián)性由近場(chǎng)遠(yuǎn)場(chǎng)耦合和納米結(jié)構(gòu)局域作用共同決定。

研究成果對(duì)于理解表面等離激元光子學(xué)中的基本物理問(wèn)題以及拓展表面等離激元在高靈敏檢測(cè)與傳感、太陽(yáng)能電池等微納光子器件應(yīng)用研究具有重要意義。

圖1 金納米盤(pán)二聚體結(jié)構(gòu)示意圖，SEM和PEEM圖像。

圖2 縱向偏振下PEEM測(cè)量的金納米棒二聚體結(jié)構(gòu)近場(chǎng)特性、以及局域表面等離激元超快動(dòng)力學(xué)。

圖3 橫向偏振下PEEM測(cè)量的金納米盤(pán)二聚體結(jié)構(gòu)近場(chǎng)特性、以及局域表面等離激元超快動(dòng)力學(xué)。

在單層WS2超快電子冷卻和弛豫動(dòng)力學(xué)過(guò)程研究中，團(tuán)隊(duì)發(fā)現(xiàn)襯底上的和懸空的單層WS2都存在的兩個(gè)時(shí)間尺度的超快動(dòng)力學(xué)過(guò)程（圖4），分別歸于導(dǎo)帶的電子冷卻和缺陷捕獲過(guò)程，從衰減曲線可以觀察到兩個(gè)時(shí)間尺度的過(guò)程，分別為0.3 ps和3 ps左右。通過(guò)能量分辨的PEEM測(cè)量（圖5），發(fā)現(xiàn)第一個(gè)過(guò)程與電子在導(dǎo)帶的冷卻相對(duì)應(yīng)，第二個(gè)過(guò)程反映了電子在導(dǎo)帶底的弛豫。通過(guò)對(duì)比懸空的單層WS2樣品的PEEM測(cè)量（圖6），并結(jié)合熒光光譜和拉曼光譜表征，發(fā)現(xiàn)該弛豫過(guò)程主要與缺陷態(tài)有關(guān)。此項(xiàng)研究借助于PEEM在空間、時(shí)間與能量等多維度的分辨能力，揭示了典型TMDs材料單層WS2超快的電子冷卻和缺陷捕獲的動(dòng)力學(xué)過(guò)程。研究還發(fā)現(xiàn)缺陷態(tài)的產(chǎn)生與真空下光照有關(guān)，這種缺陷的產(chǎn)生方式及其對(duì)動(dòng)力學(xué)過(guò)程的顯著影響，在一般的光發(fā)射實(shí)驗(yàn)和光譜測(cè)量中值得注意。

圖4 WS2/hBN/p-Si樣品結(jié)構(gòu)和時(shí)間分辨PEEM測(cè)量。

圖5 WS2/hBN/p-Si樣品時(shí)間和能量分辨PEEM測(cè)量，電子能量分布曲線可以由費(fèi)米-狄拉克分布擬合。

圖6 懸空的單層WS2樣品的時(shí)間分辨PEEM測(cè)量。