引言
看過《三體》的朋友們，一定對(duì)震撼的人列計(jì)算機(jī)有所印象：馮 · 諾依曼讓秦始皇安排三千萬個(gè)士兵組成的人列計(jì)算器，通過士兵舉黑白旗顯現(xiàn)的信號(hào)代替了二進(jìn)制進(jìn)行運(yùn)算；通過騎馬的輕轉(zhuǎn)兵在整個(gè)系統(tǒng)間傳遞信息代替了總線進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸；并利用三百萬名文化程度較高的學(xué)者每個(gè)人手中的記錄本和筆，負(fù)責(zé)記錄運(yùn)算結(jié)果代替了存儲(chǔ)器。這就形成了控制器和運(yùn)算單元、總線以及存儲(chǔ)器的概念。
不知道讀者在閱讀這一段的時(shí)候是否有一個(gè)疑問，為什么不能有一個(gè)聰明的士兵既能做運(yùn)算又能記錄運(yùn)算結(jié)果，實(shí)現(xiàn)“存算一體化”, 從而降低包括數(shù)據(jù)搬移在內(nèi)所帶來的巨大開銷？
應(yīng)用背景
正像三體中描述的人列計(jì)算機(jī)，目前大多數(shù)芯片系統(tǒng)采用的是馮·諾依曼架構(gòu)，處理器和存儲(chǔ)器由總線連接，數(shù)據(jù)需在二者之間來回搬運(yùn)。但隨著大數(shù)據(jù)和人工智能時(shí)代的到來，傳統(tǒng)的計(jì)算存儲(chǔ)分離的硬件架構(gòu)不得不面對(duì)馮·諾伊曼瓶頸。數(shù)據(jù)搬移帶來的能耗開銷使得存算分離的傳統(tǒng)架構(gòu)難以滿足低功耗的系統(tǒng)設(shè)計(jì)需求。在一些神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)硬件加速器中，核心的數(shù)據(jù)處理消耗的能量只有不到10%，除此之外與數(shù)據(jù)傳輸相關(guān)的能耗才是制約整個(gè)系統(tǒng)能效的關(guān)鍵問題。
如圖1所示，為了打破馮·諾依曼瓶頸的束縛，存算一體的計(jì)算架構(gòu)開始興起，逐漸從近存儲(chǔ)的計(jì)算范式到以存儲(chǔ)為中心的計(jì)算范式演進(jìn)。近年來，半導(dǎo)體制造工藝的發(fā)展和人工智能領(lǐng)域的崛起，為存算一體技術(shù)提供了全新的制造平臺(tái)和產(chǎn)業(yè)驅(qū)動(dòng)力。除了在人工智能及深度學(xué)習(xí)領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，存算一體架構(gòu)同樣適用于未來主流的感存算一體芯片和類腦芯片。
圖1 馮·諾依曼架構(gòu)和存算一體架構(gòu)示意圖
存算一體芯片旨在把傳統(tǒng)以計(jì)算為中心的架構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)橐詳?shù)據(jù)為中心的架構(gòu)，直接利用存儲(chǔ)器進(jìn)行數(shù)據(jù)處理。近年來非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的發(fā)展，為存算一體芯片的高效實(shí)施帶來了新的曙光。
我國(guó)在這方面的研究也取得了一系列的創(chuàng)新成果，例如2016年北京大學(xué)康晉峰教授團(tuán)隊(duì)提出以阻變器件替代傳統(tǒng)的CMOS器件來實(shí)現(xiàn)邏輯計(jì)算。構(gòu)建了基于觸發(fā)電平時(shí)序的邏輯計(jì)算類型，得到可以實(shí)時(shí)邏輯重構(gòu)的計(jì)算、存儲(chǔ)一體化并行處理硬件架構(gòu)。2021年，中國(guó)科學(xué)院微電子研究所的劉明團(tuán)隊(duì)設(shè)計(jì)了超薄鐵電隧道結(jié)進(jìn)行時(shí)間數(shù)據(jù)學(xué)習(xí)的節(jié)能而穩(wěn)健的儲(chǔ)層計(jì)算系統(tǒng)，該系統(tǒng)以高的能效、處理速度 和識(shí)別精度完成數(shù)字序列分類。2021年復(fù)旦大學(xué)周鵬團(tuán)隊(duì)研究出二維鐵電溝道晶體管（2D FeCTs），該FeCTs兼具優(yōu)異的非易失存儲(chǔ)功能和神經(jīng)擬態(tài)能力。如圖2所示，該器件成功實(shí)現(xiàn)了對(duì)鳶尾花圖像的高精度分類。2022年國(guó)防科技大學(xué)電子科學(xué)學(xué)院徐暉教授課題組與復(fù)旦大學(xué)芯片與系統(tǒng)前沿技術(shù)研究院劉琦教授課題組合作，首次實(shí)現(xiàn)了一種與CMOS工藝完全兼容的氧化鉿基反鐵電神經(jīng)元。該反鐵電晶體管能模擬生物神經(jīng)元積分發(fā)射特性，且由于其自發(fā)的去極化現(xiàn)象避免了大尺寸電容和復(fù)位電路的使用，有效提高了神經(jīng)形態(tài)計(jì)算芯片集成度。如圖3所示構(gòu)建的784×400×10雙層神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)，手寫體識(shí)別率高達(dá)96.8%，對(duì)促進(jìn)新原理器件在圖像、語(yǔ)音等智能化處理場(chǎng)景的應(yīng)用具有重要意義。2022年，華東師范大學(xué)段純剛教授團(tuán)隊(duì)利用鐵電突觸晶體管神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)成功實(shí)現(xiàn)了聯(lián)想學(xué)習(xí)，達(dá)到輸入了不完整的像素，也可以從硬件成功輸出完整像素的圖像識(shí)別功能。
圖3 雙層全鐵電SNN示意圖及基于FeFET突觸和AFeFET神經(jīng)元網(wǎng)絡(luò)的硬件
測(cè)試方案介紹
存算一體芯片旨在把傳統(tǒng)以計(jì)算為中心的架構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)橐詳?shù)據(jù)為中心的架構(gòu)，直接利用存儲(chǔ)器進(jìn)行數(shù)據(jù)處理。存算一體芯片在當(dāng)代研究的最新神經(jīng)元網(wǎng)絡(luò)中扮演高速存儲(chǔ)計(jì)算單元，其主要技術(shù)路線有通過阻變，容變等方式實(shí)現(xiàn)。存算一體芯片在當(dāng)代研究的最新神經(jīng)元網(wǎng)絡(luò)中扮演高速存儲(chǔ)計(jì)算單元。在研發(fā)階段，目前很多機(jī)理的存算一體芯片都需要反復(fù)測(cè)試驗(yàn)證迭代，必須需要有一套合適的測(cè)試系統(tǒng)加速這一過程。在這個(gè)過程中，如何快速將單個(gè)單元的測(cè)量擴(kuò)展到陣列形式的測(cè)量，是實(shí)驗(yàn)室必須要解決的一個(gè)測(cè)量難題。
測(cè)試需求
? 單個(gè)單元的性能測(cè)試
? 可擴(kuò)展的多單元性能測(cè)試
? 存算一體陣列芯片的測(cè)試
? 模擬應(yīng)用的測(cè)試方法
陣列測(cè)試流程
1. 對(duì)陣列中的行列每個(gè)單元通過施加脈沖，進(jìn)行預(yù)設(shè)置，記錄I-V特性。
2. 預(yù)設(shè)置整體陣列后，再次對(duì)每個(gè)行列單元按序列施加脈沖，記錄充放電情況及極化反轉(zhuǎn)等特性。
3. 不同的序列脈沖施加，測(cè)試不同行列激勵(lì)下的不同反應(yīng)。
4. 測(cè)試過程中需要反復(fù)施加脈沖，并且同步測(cè)量I-V特性并需要友好方便的編程方式滿足不同的激勵(lì)測(cè)試需求
