7月22日,同惠電子披露投資者關(guān)系活動(dòng)記錄表顯示,股東大會(huì)問到公司在第三代半導(dǎo)體方面是否有什么產(chǎn)品。同惠電子回答表示,本公司在汽車芯片尤其是第三代功率半導(dǎo)體領(lǐng)域早有布局,包括TH51X系列半導(dǎo)體器件CV特性分析儀,VDS高達(dá)3000V,AC測(cè)試頻率達(dá)2MHz。另外也提到,與東南大學(xué)合作的先進(jìn)功率芯片測(cè)試技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心正在進(jìn)行相關(guān)項(xiàng)目,包括半導(dǎo)體器件動(dòng)態(tài)性能測(cè)試、靜態(tài)性能測(cè)試、晶圓及封裝器件可靠性測(cè)試、第三代半導(dǎo)體器件高壓PIV特性測(cè)試等高端測(cè)試儀器方面的項(xiàng)目。
問題 1、公司目前在汽車芯片檢測(cè)(車規(guī)級(jí)芯片)方面是否有布局?有相關(guān)成熟產(chǎn)品落地銷售了嗎?
回復(fù):尊敬的投資者,您好!從測(cè)試的角度來看,汽車芯片(車規(guī)級(jí)芯片)只是在使用環(huán)境和穩(wěn)定性等方面有特別要求,有關(guān)車規(guī)級(jí)芯片參數(shù)的檢測(cè),跟其它應(yīng)用場(chǎng)景及品類的芯片檢測(cè)并無差異,所用儀器基本相同。公司在汽車芯片尤其是第三代功率半導(dǎo)體領(lǐng)域早有布局,代表性的如公司的 TH51X 系列半導(dǎo)體器件CV 特性分析儀,VDS高達(dá) 3000V,AC 測(cè)試頻率達(dá) 2MHz,創(chuàng)造性地將阻抗分析、快速緊湊型高壓電源(VGS電源、VDS電源)、高低壓切換開關(guān)矩陣、嵌入式 MCU 系統(tǒng)以及軟件分析集成在 4U 高度的單臺(tái)儀器內(nèi)部,很好地解決了功率半導(dǎo)體測(cè)試集成化程度低、性能差異大、價(jià)格高的痛點(diǎn),該系列產(chǎn)品已經(jīng)成功導(dǎo)入并在國內(nèi)頭部企業(yè)的 SiC 生產(chǎn)線并批量使用,給公司帶來了良好的經(jīng)濟(jì)效益。
公司近年來推出的 SMU 源表系列、半導(dǎo)體器件 PIV 脈沖特性測(cè)試系列儀器也在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域得到了相關(guān)應(yīng)用,銷售不斷呈現(xiàn)增長態(tài)勢(shì)。
另外公司其它儀器,如高頻阻抗分析系列儀器也廣泛應(yīng)用于長電科技、通富微電、上海捷敏等半導(dǎo)體企業(yè),用于集成電路也包括相關(guān)車規(guī)級(jí)芯片極間分布參數(shù)的測(cè)量。
謝謝關(guān)注!
問題 2、公司目前半導(dǎo)體相關(guān)產(chǎn)品的技術(shù)門檻如何?是否存在國產(chǎn)替代,自主可控呢?在第三代半導(dǎo)體方面公司是否有相關(guān)成熟產(chǎn)品落地及應(yīng)用?
回復(fù):尊敬的投資者,您好!半導(dǎo)體相關(guān)產(chǎn)品的技術(shù)含量高、需要較強(qiáng)的測(cè)試技術(shù)和測(cè)試經(jīng)驗(yàn)積累,高性能半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試技術(shù)及產(chǎn)品長期為國際先進(jìn)企業(yè)所壟斷,對(duì)我國同行企業(yè)形成了很高的門檻。國際半導(dǎo)體測(cè)試龍頭如 Keysight、Keithley 等經(jīng)過幾十年的發(fā)展,不僅行業(yè)地位突出,其技術(shù)儲(chǔ)備、產(chǎn)品線以及國際化布局完備,一直是我們學(xué)習(xí)和追趕的目標(biāo)。與之相比,公司現(xiàn)有測(cè)試產(chǎn)品線主要集中在半導(dǎo)體器件和模塊測(cè)試領(lǐng)域,產(chǎn)品技術(shù)水平和產(chǎn)品線寬度上還存在一定差距。未來,經(jīng)過不斷創(chuàng)新和拓展,公司產(chǎn)品種類將不斷豐富,性能將不斷提升,并憑借產(chǎn)品性能優(yōu)勢(shì)及本土化銷售及服務(wù)優(yōu)勢(shì),將逐漸獲得國內(nèi)知名廠商的認(rèn)可。公司將密切關(guān)注半導(dǎo)體器件和新能源產(chǎn)業(yè)新技術(shù)和新產(chǎn)品的發(fā)展和應(yīng)用,緊跟技術(shù)前沿,綜合市場(chǎng)、技術(shù)、人才等多方面的因素謹(jǐn)慎評(píng)估、適時(shí)布局新產(chǎn)品。
公司近年來推出的 SMU 源表系列、CV 特性測(cè)試系列、PIV 測(cè)試系列、高阻計(jì)/飛安計(jì)等儀器所測(cè)試的產(chǎn)品覆蓋二極管、MOSFET、IGBT、以及第三代半導(dǎo)體 SiC、GaN 等新型器件,相關(guān)系列產(chǎn)品經(jīng)過設(shè)計(jì)完善和市場(chǎng)推廣的不斷深入,已經(jīng)形成系列化并趨于成熟,部分產(chǎn)品有效實(shí)現(xiàn)了進(jìn)口替代,銷售數(shù)量顯著增長,銷售收入占比上升,產(chǎn)品結(jié)構(gòu)得到優(yōu)化,形成了良好的經(jīng)濟(jì)效益。謝謝您對(duì)公司的關(guān)注!
問題 3、與東南大學(xué)合作的先進(jìn)功率芯片測(cè)試技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心,目前的研究成果或在研項(xiàng)目主要是高端產(chǎn)品還是常規(guī)產(chǎn)品,及其對(duì)公司的業(yè)務(wù)發(fā)展有何重要意義?
回復(fù):尊敬的投資者,您好!2023 年 3 月,公司和東南大學(xué)簽署了《東南大學(xué)—同惠電子先進(jìn)功率芯片測(cè)試技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心合作協(xié)議》,公司向東南大學(xué)三年累計(jì)提供研發(fā)經(jīng)費(fèi)總額為人民幣 1,000 萬元。2023 年度公司已投入 500萬元,2024 年度投入 200 萬元。目前合作按照計(jì)劃穩(wěn)步進(jìn)行,相關(guān)項(xiàng)目已展開,并已取得初步成效。本次合作,使雙方達(dá)成在“先進(jìn)功率芯片測(cè)試技術(shù)”的產(chǎn)學(xué)研深度融合專項(xiàng)合作,建立了校企產(chǎn)學(xué)研緊密結(jié)合的長效機(jī)制,充分發(fā)揮校企雙方優(yōu)勢(shì),推動(dòng)合作成果落地應(yīng)用,有利于推動(dòng)企業(yè)在功率芯片測(cè)試尤其是寬禁帶功率芯片測(cè)試領(lǐng)域的高速高質(zhì)量發(fā)展,提高公司在電子測(cè)量儀器行業(yè)的核心競(jìng)爭(zhēng)力和持續(xù)經(jīng)營能力,符合公司的長遠(yuǎn)發(fā)展戰(zhàn)略和全體股東的利益。目前公司與東南大學(xué)正在功率半導(dǎo)體器件尤其是第三代半導(dǎo)體器件方面的合作項(xiàng)目包括半導(dǎo)體器件動(dòng)態(tài)性能測(cè)試、靜態(tài)性能測(cè)試、晶圓及封裝器件可靠性測(cè)試、第三代半導(dǎo)體器件高壓 PIV 特性測(cè)試等高端測(cè)試儀器方面。這些項(xiàng)目的合作推進(jìn)及未來相關(guān)產(chǎn)品的推向市場(chǎng),一定會(huì)對(duì)公司在半導(dǎo)體器件測(cè)試領(lǐng)域的深入發(fā)展和營收增長起到重要的作用。