4）數(shù)據(jù)維持失效（DRF）：存儲(chǔ)單元經(jīng)過(guò)一段時(shí)間后無(wú)法維持自己的邏輯值的故障，這種失效一般是由上拉電阻斷開引起的。

以上四種故障模型是所有存儲(chǔ)器都可能存在的失效模型。

另外，Flash還有以下幾種失效模型。

5）柵極編程干擾（GPD）和柵極擦除干擾（GED）：對(duì)一個(gè)存儲(chǔ)單元的編程或擦除操作引起同一字線上的另外單元發(fā)生錯(cuò)誤的編程或擦除操作。

6）漏極編程干擾（DPD）和漏極擦除干擾（DED）：對(duì)一個(gè)存儲(chǔ)單元的編程或擦除操作引起同一位線上的另外單元發(fā)生錯(cuò)誤的編程或擦除操作。

7）過(guò)度擦除（OE）：對(duì)存儲(chǔ)器的過(guò)度擦除將會(huì)導(dǎo)致對(duì)該存儲(chǔ)單元的下一次編程不起作用，從而無(wú)法得到正確的操作結(jié)果。

8）讀干擾（RD）：對(duì)一個(gè)存儲(chǔ)單元的讀操作引起對(duì)該單元的錯(cuò)誤編程。

以上的故障都屬于陣列故障，還存在周邊電路故障。

9）地址譯碼失效（ADF）；特定的地址無(wú)法存取對(duì)應(yīng)存儲(chǔ)單元，或多個(gè)單元同時(shí)被存取，或特定的存儲(chǔ)單元可以被多個(gè)地址存取。

2 March C 算法：

< 基于以上列出的Flash 存儲(chǔ)器的故障模型，需要選擇覆蓋率高，效率高的測(cè)試算法對(duì)其進(jìn)行測(cè)試驗(yàn)證。

本次研究采用March C算法來(lái)實(shí)現(xiàn)。其表示為：

{↓↑（w0）;↑(r0,w1,);↑(r1,w0);

↓(r0,w1); ↓(r1,w0); ↓↑(w0)}

其中，符號(hào)意義如下：