1、概述

隨著軍事高新技術(shù)的飛速發(fā)展，世界各國(guó)大力發(fā)展隱身技術(shù)。其中包含的材料隱身就是指在軍事目標(biāo)上大量使用吸波材料來(lái)衰減入射雷達(dá)波，減小雷達(dá)散射截面。

由于不同的吸波材料對(duì)入射波的反射在不同頻段、不同極化方式、不同入射角的情況下是不同的，為了衡量吸波材料的吸波特性，適應(yīng)高損耗微波電磁材料的研究、開(kāi)發(fā)和應(yīng)用需求，采用弓形法，在 1～40 GHz 的頻帶范圍內(nèi)，對(duì)材料進(jìn)行常溫反射率的測(cè)試。

2、設(shè)備原理

弓形法使用豎直或者半圓的弓形架，弓形架上裝配有一對(duì)天線(xiàn)，天線(xiàn)可在弓形架上滑動(dòng)到任意位置。固定在支架上的金屬板首先被用于校準(zhǔn)，然后將金屬板換成待測(cè)吸波材料樣板測(cè)試，將兩次測(cè)試的功率輸出值進(jìn)行比較，即可得出待測(cè)吸波材料的反射率。

假設(shè)收發(fā)天線(xiàn)間的耦合可以忽略不計(jì)，設(shè)從發(fā)射天線(xiàn)經(jīng)過(guò)參考金屬板再到達(dá)接收天線(xiàn)的電磁波的功率為P金，將參考金屬板換為 RAM 樣板后到達(dá)接收天線(xiàn)的功率為 P材，那么吸波材料的功率反射率為ΓP ：ΓP = P材 / P金

同理若用電壓來(lái)表示反射率為:ΓP = V材 / V金

用分貝的形式表示為:Γ(dB) = 10 lg (P材 / P金)=10 lg ΓP =20 lg (V材 / V金)  = 20 lg ΓV

Γ表示吸波材料的反射率，其單位為分貝(dB)。

3、設(shè)備結(jié)構(gòu)

反射率測(cè)試系統(tǒng)由網(wǎng)絡(luò)分析儀、測(cè)試平臺(tái)、弓形架、發(fā)射和接收天線(xiàn)、微波電纜組件、控制計(jì)算機(jī)等組建成如圖 1 所示的反射率測(cè)試系統(tǒng)。具體而言，系統(tǒng)主要構(gòu)成包括：矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀、弓形架、天線(xiàn)(發(fā)射和接收)及支架、測(cè)試電纜組件、標(biāo)準(zhǔn)板、樣品支架、控制臺(tái)、尖錐吸波材料、測(cè)試軟件等；構(gòu)成系統(tǒng)的其它部件。

圖1 1-40GHz反射率測(cè)試系統(tǒng)結(jié)構(gòu)框圖

圖2 典型的1~40GHz弓形法反射率常溫測(cè)試系統(tǒng)(成都恩馳微波科技有限公司提供)