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【基本原理】
系統(tǒng)整體采用非接觸測(cè)量方式，通過在流水線中設(shè)置五個(gè)工位，分別實(shí)現(xiàn)硅片各個(gè)參數(shù)的檢測(cè)。其中，電阻率、厚度、TTV、P/N型號(hào)、Bow/Warp采用電渦流法和電容法實(shí)現(xiàn)非接觸自動(dòng)檢測(cè)；輪廓尺寸采用機(jī)器視覺技術(shù)實(shí)現(xiàn)；隱裂、孔洞缺陷通過紅外視覺技術(shù)實(shí)現(xiàn)；表面臟污缺陷通過機(jī)器視覺技術(shù)并輔以特殊設(shè)計(jì)光源實(shí)現(xiàn)；線痕缺陷通過光針掃描技術(shù)實(shí)現(xiàn)。

【規(guī)格指標(biāo)】
（1）能夠適應(yīng)三種規(guī)格單晶硅片檢測(cè)需求，包括6吋（邊長(zhǎng)125mm×125mm，對(duì)角線150mm）、6.5吋（邊長(zhǎng)125mm×125mm，對(duì)角線165mm）、8吋（邊長(zhǎng)156mm×156mm，對(duì)角線200mm）；

(2）能夠檢測(cè)硅片各種缺陷，包括電阻率、厚度、TTV、P/N、線痕、幾何尺寸、臟污、孔洞、隱裂、BOW/WARP；

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