美國研究人員表示，他們使用碳納米管替代硅為原料，讓存儲器和處理器采用三維方式堆疊在一起，降低了數(shù)據(jù)在兩者之間的時間，從而大幅提高了計算機芯片的處理速度，運用此方法研制出的3D芯片的運行速度有可能達到目前芯片的1000倍。
為此，夏拉克爾和導(dǎo)師薩布哈斯·米特拉等人將目光投向了碳納米管。夏拉克爾說，碳納米管具有重量輕、六邊形結(jié)構(gòu)連接完美的特點，能在低溫下處理，與傳統(tǒng)晶體管相比，其體積更小，傳導(dǎo)性更強，并能支持快速開關(guān)，因此其性能和能耗表現(xiàn)遠遠好于傳統(tǒng)硅材料。
但利用碳納米管制造芯片并非易事。首先，碳納米管的生長方式非常不好控制；其次，存在的少量金屬性碳納米管會損害整個芯片的性能。研究人員想方設(shè)法解決了這些問題，并于2013年制造出全球首臺碳納米管計算機。然而，這臺計算機既慢又笨重，且只有幾個晶體管。
