清華大學(xué)最近申請(qǐng)了一項(xiàng)名為“傳感器及其制備方法和應(yīng)用”的專利，專利公開(kāi)號(hào)為CN202410525818.9，申請(qǐng)日期為2024年4月。這項(xiàng)專利涉及一種新型傳感器，可以測(cè)量微納尺寸的功能氧化物薄膜的多種物理性能。這些功能氧化物薄膜在智能電子器件領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用潛力，包括傳感器、驅(qū)動(dòng)器、表面聲波器件、存儲(chǔ)器和柔性電子器件等。

專利的核心在于提出了一種能夠消除基底對(duì)功能氧化物薄膜全物性集成化測(cè)量影響的傳感器。這種傳感器包括襯底、位于襯底上的金屬層和納米線電極。通過(guò)特定的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，傳感器可以準(zhǔn)確地測(cè)量功能氧化物薄膜的多種物理性能，如熱導(dǎo)率、電導(dǎo)率、塞貝克系數(shù)、載流子濃度、載流子遷移速率等，從而解決了由于基底對(duì)樣品的影響造成樣品本征物性測(cè)量不準(zhǔn)確的問(wèn)題。

此外，專利還提出了一種制備上述傳感器的方法，包括在硅片上形成氮化硅薄膜、刻蝕硅片形成硅層、在氮化硅薄膜上形成金屬層等步驟。通過(guò)這種方法制備的傳感器能夠有效地用于測(cè)量功能氧化物薄膜的多種物理性能，有助于推動(dòng)智能電子器件的研究和應(yīng)用。

這一發(fā)明的意義在于，它為微納尺寸功能氧化物薄膜的物性測(cè)量提供了一種新的、更準(zhǔn)確的方法，對(duì)于促進(jìn)功能氧化物薄膜在智能電子器件領(lǐng)域的應(yīng)用具有重要意義。