考核指標(biāo)：光譜范圍0.9μm ~1.7μm，平均光子探測(cè)效率≥20%，暗計(jì)數(shù)≤3kcps，暗電流≤0.3nA@擊穿電壓，時(shí)間分辨率≤2ns;平均故障間隔時(shí)間≥5000小時(shí)。

1.9 大面積低劑量X射線平板探測(cè)器

研究目標(biāo)：開發(fā)大面積低劑量X射線平板探測(cè)器，突破高速幀率采集、高填充系數(shù)大面積探測(cè)、高效率低劑量探測(cè)等關(guān)鍵技術(shù)，開展工程化開發(fā)、應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化推廣，形成具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠的產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)在工業(yè)檢測(cè)X射線成像儀、醫(yī)學(xué)X射線成像儀等儀器中的應(yīng)用。

考核指標(biāo)：有效探測(cè)面積≥30cm×30cm，像素尺寸≤150μm，最高幀頻120fps，最低成像劑量≤5nGy，量子檢測(cè)效率≥75% @20μGy，極限分辨率≥3.3Lp/mm;平均故障間隔時(shí)間≥5000小時(shí)。

1.10 高分辨耐輻照硅探測(cè)器

研究目標(biāo):開發(fā)高分辨率耐輻照硅探測(cè)器，突破離子注入與表面鈍化等關(guān)鍵技術(shù)，開展工程化開發(fā)、應(yīng)用示范與產(chǎn)業(yè)化推廣，形成具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠的產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)在X射線衍射儀、高能粒子譜儀和X射線成像譜儀等儀器中的應(yīng)用。

考核指標(biāo)：探測(cè)面積≥5cm×5cm，位置分辨率≤100μm，漏電流密度≤2nA/cm2@耗盡電壓，探測(cè)器工作電壓≥600V，抗輻照指標(biāo)≥1×1015nep/cm2;平均故障間隔時(shí)間≥5000小時(shí)。