1.6 寬光譜高靈敏電子倍增CCD成像探測器

研究內容：開發(fā)寬光譜高靈敏電子倍增CCD成像探測器，突破高靈敏光生電荷采集結構制備關鍵技術，開展工程化開發(fā)、應用示范和產業(yè)化推廣，形成具有自主知識產權、質量穩(wěn)定可靠的產品，實現(xiàn)在高靈敏度顯微鏡、微光探測儀、光譜分析儀等儀器中的應用。

考核指標：波長范圍260nm~1000nm，像元數(shù)目≥1024×1024，像元尺寸≤13μm ×13μm，倍增增益≥1000，最高信噪比≥45dB，峰值量子效率≥80%，暗電荷≤350e/pixel/s（常溫），最高輸出幀頻≥10fps;平均故障間隔時間≥5000小時。[pagebreak]

1.7 太赫茲混頻器

研究目標：開發(fā)太赫茲混頻器，突破太赫茲混頻電路設計與精密制造等關鍵技術，采用國產混頻芯片，開展工程化開發(fā)、應用示范和產業(yè)化推廣，形成具有自主知識產權、質量穩(wěn)定可靠的產品，實現(xiàn)在太赫茲矢量網(wǎng)絡分析儀、太赫茲頻譜分析儀、太赫茲安全檢測儀、太赫茲成像儀等儀器中的應用。

考核指標：2次諧波混頻頻率范圍0.325THz~0.5THz，中頻頻率范圍20MHz~300MHz，變頻損耗≤17dB;4次諧波混頻頻率范圍0.5THz~0.75THz，中頻頻率范圍20MHz~300MHz，變頻損耗≤30dB;4次諧波混頻頻率范圍0.75THz~1.1THz，中頻頻率范圍20MHz~300MHz，變頻損耗≤35dB;平均故障間隔時間≥5000小時。

1.8 InGaAs探測器

研究目標：開發(fā)InGaAs探測器，突破單光子信號探測芯片設計制造關鍵技術，開展工程化開發(fā)、應用示范和產業(yè)化推廣，形成具有自主知識產權、質量穩(wěn)定可靠的產品，實現(xiàn)在近紅外光譜分析儀、近紅外成像儀、光纖光譜分析儀等儀器中的應用。