研究目標(biāo)：開(kāi)發(fā)太赫茲倍頻器，突破太赫茲倍頻電路設(shè)計(jì)與精密制造技術(shù)，采用國(guó)產(chǎn)倍頻芯片，開(kāi)展工程化開(kāi)發(fā)、應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化推廣，形成具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠的產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)在太赫茲信號(hào)發(fā)生器、太赫茲矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀、太赫茲安全檢測(cè)儀、太赫茲成像儀等儀器中的應(yīng)用。

考核指標(biāo)：3倍頻輸出頻率范圍0.325THz~0.5THz，最大輸出功率≥-10dBm，倍頻損耗≤20dB;4倍頻輸出頻率范圍0.5THz~0.75THz，最大輸出功率≥-20dBm，倍頻損耗≤25dB;4倍頻輸出頻率范圍0.75THz~1.1THz，最大輸出功率≥-30dBm，倍頻損耗≤30dB;平均故障間隔時(shí)間≥5000小時(shí)。

1.4 通用高精度勻場(chǎng)超導(dǎo)磁體

研究目標(biāo)：開(kāi)發(fā)通用高精度勻場(chǎng)超導(dǎo)磁體，突破大口徑超導(dǎo)強(qiáng)磁體加工和高精度勻場(chǎng)設(shè)計(jì)等關(guān)鍵技術(shù)，開(kāi)展工程化開(kāi)發(fā)、應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化推廣，形成具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠的產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)在量子振蕩檢測(cè)儀、核磁譜儀、磁致冷和強(qiáng)磁場(chǎng)材料處理裝置等儀器中的應(yīng)用。

考核指標(biāo)：磁場(chǎng)強(qiáng)度≥18T，孔徑≥60mm，磁場(chǎng)相對(duì)不均勻度≤10-4@直徑10mm內(nèi);磁場(chǎng)不穩(wěn)定度≤10-5/h;平均故障間隔時(shí)間≥5000小時(shí)。

1.5 雙曲面線(xiàn)性離子阱

研究?jī)?nèi)容：開(kāi)發(fā)雙曲面線(xiàn)性離子阱，突破雙曲線(xiàn)形電極加工和四電極高精度平行絕緣裝配等關(guān)鍵技術(shù)，開(kāi)展工程化開(kāi)發(fā)、應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化推廣，形成具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠的產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)在離子阱質(zhì)譜儀、大型離子反應(yīng)儀等儀器中的應(yīng)用。

考核指標(biāo)：電極長(zhǎng)度≥100mm，雙曲面電極表面粗糙度Ra≤0.1μm，雙曲面線(xiàn)輪廓度≤0.4μm，離子阱綜合幾何精度≤5μm，質(zhì)量范圍50amu~4000amu，相對(duì)質(zhì)量分辨率≤0.5amu;平均故障間隔時(shí)間≥5000小時(shí)。