對(duì)于單粒子引起的翻轉(zhuǎn)，敏感度由低到高的順序可以排列為：CMOS/SOI，CMOS/SOS，體硅COMS，NMOS，I2L，TTL。為避免單粒子引起的鎖定，推薦使用CMOS/SOI，CMOS/SOS或外延COMS工藝器件，CMOS/SOI，CMOS/SOS工藝器件不存在鎖定問(wèn)題，外延CMOS器件單粒子鎖定的閥值一般較高，但在具體應(yīng)用時(shí)，應(yīng)對(duì)其鎖定閥值進(jìn)行評(píng)估。器件的單粒子敏感度與器件的使用條件有關(guān)，一把情況下，電源電壓、溫度和累積劑量的升高會(huì)影響器件的單粒子敏感度，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)予以考慮。適當(dāng)增加屏蔽層厚度可對(duì)空間低能粒子起到一定的屏蔽作用，但對(duì)高能重離子和高能質(zhì)子的屏蔽效果不明顯。
附件：輻射加固保證(RHA)等級(jí)
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