空間輻射環(huán)境主要來自宇宙射線、太陽耀斑輻射及環(huán)繞地球的內(nèi)外范·艾倫輻射帶等。雖然輻射劑量率很低，不同軌道的劑量率范圍一般在0.0001～0.01rad(Si)/s之間，但由于它是一個(gè)累積效應(yīng)，當(dāng)劑量率累計(jì)到一定值時(shí)，將導(dǎo)致電子器件的性能發(fā)生變化，嚴(yán)重時(shí)將導(dǎo)致器件完全失效，使電子設(shè)備不能正常工作。目前運(yùn)行的衛(wèi)星在其有效壽命里，內(nèi)部將會(huì)受到的總劑量為102～104Gy(Si)的輻射。單粒子效應(yīng)(SEE)是空間電子系統(tǒng)必須面對(duì)和需要解決的另一個(gè)空間輻射問題。自1975年發(fā)現(xiàn)單個(gè)高能粒子能引起CMOS器件發(fā)生鎖定(SEL)以來，不斷發(fā)現(xiàn)由單粒子引起的器件失效情況，包括功率MOS器件發(fā)生燒毀(SEB)、單粒子?xùn)糯?/span>(SEGR)、單粒子翻轉(zhuǎn)(SEU)等現(xiàn)象。隨著器件集成度的提高，以及工作電壓的降低，器件對(duì)單粒子效應(yīng)的敏感度也大幅度提高，成為影響航天器在軌運(yùn)行的重要因素。核輻射環(huán)境主要由α、β、中子、γ射線及核電磁脈沖組成。高空核爆炸產(chǎn)生的瞬時(shí)輻射環(huán)境的時(shí)間很短(一般為10～15s)。瞬態(tài)劑量率輻射效應(yīng)、中子輻射位移損傷效應(yīng)以及瞬態(tài)輻射的次級(jí)效應(yīng)，對(duì)于戰(zhàn)略武器和航天器的電子系統(tǒng)，都是必須重視的瞬時(shí)損傷因素。因此運(yùn)行在輻射環(huán)境的航天型號(hào)在選擇電子器件時(shí)，必須根據(jù)器件承受的輻射環(huán)境，選擇具有足夠抗輻射能力的器件，并留有一定的余量，以保證所選器件在輻射環(huán)境中穩(wěn)定可靠地運(yùn)行。