近年來，航裕電源一直十分關(guān)注功率半導體器件的測試需求，并帶來多款高性能的可編程高壓直流電源，為功率半導體器件測試提供高穩(wěn)精準的測試供電。近期，航裕電源與青銅劍技術(shù)攜手合作，帶來功率器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)解決方案。
功率器件動態(tài)特性高效測試系統(tǒng)
青銅劍技術(shù)是中國功率器件驅(qū)動行業(yè)的開拓者，公司獲批廣東省大功率電力電子核心器件與高端裝備工程技術(shù)研究中心，完成了多項國家、省、市科技計劃項目，成功研發(fā)中國首款大功率IGBT驅(qū)動ASIC芯片，推出IGBT標準驅(qū)動核、即插即用型驅(qū)動器、成套驅(qū)動方案、驅(qū)動電源、隔離驅(qū)動IC、驅(qū)動芯片組、功率器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)等。
為了適應(yīng)碳化硅材料耐高壓的特性，青銅劍技術(shù)選擇采用航裕電源HY-HV系列可編程高壓直流電源為其QTJT-D 系列功率器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)進行測試供電，高壓范圍2kV、5kV、10kV、20kV...200kV 可選，全面覆蓋SiC器件測試需求。
QTJT-D 系列 測試范圍：
■ IGBT/SiC器件的單管、模塊、IPM/功率模組的動態(tài)參數(shù)測試
QTJT-D 系列 可測試參數(shù)：
■測試電壓：10~1700V/10~6500V
■測試電流(峰值)：20~6000A(10000A,10μs)
■雜散電感<10nH(需特殊定制,僅測試工裝雜感)
■門極電阻：手動調(diào)整0~100Ω(可選配自動調(diào)整)
■門極電壓調(diào)節(jié)范圍負壓:-15V-0V,正壓:0V~+25V
■門極電壓精度：±0.1V
■脈沖信號形式：單/雙脈沖、多脈沖
■脈沖信號寬度：0.1μs~1000μs,分辨率0.02μs,精度±0.1μs
■負載電感:10μH/50μH.../1000μH,8檔自動可調(diào)，精度±5μH;可選配置
■遠程通訊:LAN/USB
■溫控裝置:溫度控制范圍:常溫~200℃,精度±2℃;可選配低溫測試、溫度范圍等
■安全防護:過流過壓保護，防觸電漏電保護，高壓互鎖，快速放電，三色警示燈，急停等
干貨分享：SIC器件動態(tài)測試
功率器件中的碳化硅器件具有耐壓高、熱穩(wěn)定好、開關(guān)損耗低、功率密度高等特點，被廣泛應(yīng)用在電動汽車、風能發(fā)電、光伏發(fā)電等新能源領(lǐng)域。近年來，全球半導體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國轉(zhuǎn)移。目前,我國已經(jīng)成為全球最重要的半導體功率器件封測基地。
目前常用的碳化硅功率半導體器件開通關(guān)斷速度都較快，這對柵極可靠性提出了更高的要求。但是由于碳化硅材料的物理特性，導致柵級結(jié)構(gòu)中的柵氧層缺陷數(shù)量較多，致使碳化硅器件柵極早期失效率相比硅器件較高，限制了其商業(yè)化發(fā)展。為提高碳化硅mosfet器件柵級工作壽命，需要對碳化硅功率半導體器件進行基于柵極的測試，在將碳化硅功率半導體器件壽命較低的器件篩選出來，提高碳化硅功率半導體器件的使用壽命。
SiC功率器件的電學性能測試主要包括靜態(tài)、動態(tài)、可靠性、極限能力測試等，其中，動態(tài)測試主要是測試 SiC 器件在開通關(guān)斷過程中的性能。
通常我們希望的功率半導體器件的開關(guān)速度盡可能得高、開關(guān)過程損耗小。但是在實際應(yīng)用中，影響開關(guān)特性的參數(shù)有很多，如續(xù)流二極管的反向恢復參數(shù)，柵極/漏極、柵極/源極及漏極/源極電容、柵極電荷的存在，所以針對于此類參數(shù)的測試，變得尤為重要。開關(guān)特性決定裝置的開關(guān)損耗、功率密度、器件應(yīng)力以及電磁兼容性。直接影響變換器的性能。因此準確的測量功率半導體器件的開關(guān)性能具有極其重要的意義。
航裕電源與青銅劍
航裕電源自2011年成立以來，不斷打磨電源研發(fā)制造技術(shù)，深入了解客戶需求,擁有豐富的功率器件測試服務(wù)經(jīng)驗。青銅劍技術(shù)深耕功率器件驅(qū)動領(lǐng)域十余年，推出的功率器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)受到客戶的廣泛認可和肯定。此次雙方強強聯(lián)合，充分發(fā)揮各自的優(yōu)勢，實現(xiàn)資源共享和互補，將為廣大用戶帶來更加優(yōu)質(zhì)、便捷的電源測試產(chǎn)品和服務(wù)，共同開創(chuàng)電力電子領(lǐng)域的新篇章。
