第三代半導(dǎo)體材料碳化硅具有禁帶寬度大、臨界擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、電子飽和遷移速率大、電子密度高、熱導(dǎo)率高、介電常數(shù)低，具備高頻高效、耐高壓、耐高溫，以及抗輻射能力強(qiáng)等諸多優(yōu)越性能，因而能制備出在高溫下運(yùn)行穩(wěn)定，在高電壓、高頻率等極端環(huán)境下更為穩(wěn)定的半導(dǎo)體器件，是支撐固態(tài)光源、功率半導(dǎo)體、微波射頻器件的“核芯”材料和電子元器件，可以起到減小體積簡(jiǎn)化系統(tǒng)，提升功率密度的作用。

現(xiàn)階段，國(guó)內(nèi)仍未建立專門針對(duì)碳化硅功率半導(dǎo)體器件的試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)和評(píng)價(jià)方法，碳化硅功率半導(dǎo)體器件的驅(qū)動(dòng)技術(shù)和保護(hù)技術(shù)仍需加強(qiáng)。因此，國(guó)內(nèi)中游廠商為提高碳化硅器件柵級(jí)工作壽命和穩(wěn)定性，迫切需要對(duì)碳化硅功率半導(dǎo)體器件進(jìn)行多種測(cè)試，提高碳化硅功率半導(dǎo)體器件的使用壽命和穩(wěn)定性。

航裕電源運(yùn)用十余年專業(yè)電源研發(fā)制造技術(shù)，服務(wù)于國(guó)家科創(chuàng)興國(guó)戰(zhàn)略，為功率半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展竭盡全力，推出多款碳化硅半導(dǎo)體器件測(cè)試專用電源，推動(dòng)碳化硅、氮化鎵等半導(dǎo)體器件制造工藝的提升與發(fā)展，助力功率半導(dǎo)體科創(chuàng)事業(yè)騰飛。

1、 靜態(tài)特性測(cè)試

碳化硅功率半導(dǎo)體器件的柵極氧化層面臨著更高的電場(chǎng)強(qiáng)度。由于制造工藝導(dǎo)致碳化硅功率半導(dǎo)體器件界面態(tài)密度高出了近2~3個(gè)數(shù)量級(jí)，由此引起的柵極閾值電壓不穩(wěn)定性嚴(yán)重影響了碳化硅的可靠性。

■ 耐壓測(cè)試

耐壓測(cè)試是最常見的靜態(tài)測(cè)試。它包括施加一個(gè)預(yù)設(shè)好的電壓，輸出電壓作用于被測(cè)物，并持續(xù)一段時(shí)間，電壓值和持續(xù)時(shí)間長(zhǎng)短視具體應(yīng)用工況而定。

該測(cè)試可采用以下電源

HY-HV系列可編程高壓直流電源

*高壓小電流電源，電壓耐久性測(cè)試專用

■ 輸出電壓型號(hào)有2kV、3kV、4kV、5kV、6kV、8kV、10kV、15kV、20kV······50kV等

■ 高功率密度：?jiǎn)螜C(jī)最大150kW

■ 工作模式：恒壓CV、恒流CC，CV/CC優(yōu)先可設(shè)

■ 支持前面板編程，無(wú)須上位機(jī)軟件控制

■ 上升和下降斜率可調(diào)（電壓/電流）

■ 電源輸出軟啟動(dòng)功能

■ 16 bits D/A 高精度轉(zhuǎn)換器，輸出精確

■ 20 bits A/D 高精度轉(zhuǎn)換器，回讀更準(zhǔn)

■ 高壓擊穿測(cè)試

碳化硅禁帶寬度為硅的3倍左右，意味著需要更大的能量來(lái)激發(fā)電子導(dǎo)電，要求很高的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度。

航裕電源HY-HVL系列線性可編程高壓直流電源，輸出電壓型號(hào)有1.25kV、2.5kV、5kV、10kV、15kV、20kV、30kV、40kV、50kV等多種范圍可選，滿足多元化高壓器件擊穿測(cè)試需求，具有高精度，低干擾，低紋波等優(yōu)勢(shì)，適合高精密測(cè)試與測(cè)量，可進(jìn)行高壓器件擊穿測(cè)試、高壓組件測(cè)試、高壓電阻率測(cè)試、絕緣耐壓測(cè)試、二極管反偏測(cè)試等。

該測(cè)試可采用以下電源

HY-HVL系列線性可編程高壓直流電源

*滿足高壓、高精度的測(cè)試需求

■ 輸出電壓型號(hào)有1.25kV、2.5kV、5kV、10kV、15kV、20kV、30kV、40kV、50kV等

■ 輸出電流范圍：500μA-50mA

■ 工作模式：恒壓CV、恒流CC，CV/CC優(yōu)先可設(shè)

■ 超低干擾、超低紋波，適合高精密測(cè)試與測(cè)量

■ 支持前面板編程，無(wú)須上位機(jī)軟件控制

■ 上升和下降斜率可調(diào)（電壓/電流）