（1）屏蔽 > 模型：
屏蔽效能SE(dB)＝反射損耗R(dB)＋吸收損耗A(dB)
高頻射頻屏蔽的關(guān)鍵是反射，吸收是低頻磁場屏蔽的關(guān)鍵機(jī)理。
（2）工作頻率低于1MHz時，噪聲一般由電場或磁場引起，(磁場引起時干擾，一般在幾百赫茲以內(nèi))，1MHz以上，考慮電磁干擾。單板上的屏蔽實體包括變壓器、傳感器、放大器、DC/DC模塊等。更大的涉及單板間、子架、機(jī)架的屏蔽。
（3）靜電屏蔽不要求屏蔽體是封閉的，只要求高電導(dǎo)率材料和接地兩點。電磁屏蔽不要求接地，但要求感應(yīng)電流在上有通路，故必須閉合。磁屏蔽要求高磁導(dǎo)率的材料做 封閉的屏蔽體，為了讓渦流產(chǎn)生的磁通和干擾產(chǎn)生的磁通相消達(dá)到吸收的目的，對材料有厚度的要求。高頻情況下，三者可以統(tǒng)一，即用高電導(dǎo)率材料(如銅)封閉并接地。
（4）對低頻，高電導(dǎo)率的材料吸收衰減少，對磁場屏蔽效果不好，需采用高磁導(dǎo)率的材料（如鍍鋅鐵）。
（5）磁場屏蔽還取決于厚度、幾何形狀、孔洞的最大線性尺寸。
關(guān)鍵詞:電磁干擾 EMC設(shè)計 電子 測試測量 瀏覽量：945
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