第三代寬禁帶半導(dǎo)體器件 GaN 和 SiC 的出現(xiàn)，推動(dòng)著功率電子行業(yè)發(fā)生顛覆式變革。新型開關(guān)器件既能實(shí)現(xiàn)低開關(guān)損耗，又能處理超高速 dv/dt 轉(zhuǎn)換，且支持超快速開關(guān)切換頻率，帶來的測(cè)試挑戰(zhàn)也成了工程師的噩夢(mèng)。

結(jié)合泰克新一代示波器，泰克針對(duì)性地推出帶寬 1Ghz、2500V 差模、120dB 共模抑制比的全面光隔離探頭，提供系統(tǒng)優(yōu)異的抗干擾能力，幫助工程師進(jìn)行第三代半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)級(jí)優(yōu)化設(shè)計(jì)。工程師在設(shè)計(jì)電源產(chǎn)品時(shí)，優(yōu)化上下管的驅(qū)動(dòng)條件，從而保證安全的條件下降低損耗，提高轉(zhuǎn)化效率，可以滿足寬禁帶半導(dǎo)體器件的測(cè)試需求。

TIVH 高帶寬探頭測(cè)試

在開關(guān)技術(shù)應(yīng)用中的橋式驅(qū)動(dòng)上管測(cè)試中，普遍會(huì)碰到測(cè)試驅(qū)動(dòng)信號(hào)的正確測(cè)試問題，現(xiàn)象表現(xiàn)為波形振蕩變大、測(cè)試電壓值誤差大，不利于設(shè)計(jì)人員的器件評(píng)估和選擇，其根本的原因在于所使用差分探頭的連接和 CMRR 共模抑制比規(guī)格滿足不了測(cè)量要求問題。泰克的 TIVH_ 差分探頭有效的解決了連接、測(cè)量帶寬、高頻 CMRR 和驅(qū)動(dòng)小信號(hào)測(cè)量問題。

選擇 TIVH 差分探頭的基本原則是以驅(qū)動(dòng)信號(hào)的上升時(shí)間為依據(jù)，儀器系統(tǒng)對(duì)被測(cè)點(diǎn)的影響小于 3%。上管信號(hào)測(cè)量考慮因素：帶寬、電壓范圍（共模和差模）、CMRR 和連接。根據(jù)測(cè)試驅(qū)動(dòng)信號(hào)的上升時(shí)間來選擇的方案配置如下，探頭的帶寬最好示波器的帶寬一致。基本配置：MDO3K/4K + TIVH02 /TIVH05 /TIVH08； 優(yōu)化配置 MSO5/350/500/1000 + TIVH02 /TIVH05 /TIVH08。

驗(yàn)證 SiC、GaN 寬禁帶器件特性

SiC 和 GaN 越來越廣泛的被應(yīng)用在電源產(chǎn)品中，當(dāng)測(cè)試高壓測(cè) Vgs 導(dǎo)通電壓時(shí)，因?yàn)轭l率高（快速開、關(guān)）以及示波器探頭在高帶寬下的共模抑制不夠而導(dǎo)致不能準(zhǔn)確測(cè)試。共模抑制差導(dǎo)致測(cè)量受到共模電壓干擾而很難準(zhǔn)確測(cè)試實(shí)際的差分信號(hào)。泰克提供全面光隔離探頭（ISOVu)配合高達(dá) 12 位新五系示波器 MSO5 成為業(yè)內(nèi)唯一解決方案，高達(dá) 1GHz 的系統(tǒng)帶寬滿足 GaN 和 SiC。

典型“開”狀態(tài)測(cè)量設(shè)置。

此外，還需注意在較高開關(guān)頻率下對(duì)探頭電容的影響。探頭電容過高將導(dǎo)致上升沿在測(cè)量中變緩，從而導(dǎo)致錯(cuò)誤的評(píng)價(jià)高頻開關(guān)特性。另外，將探頭接入極靈敏的浮動(dòng)門電路信號(hào)中，可能導(dǎo)致電容充電產(chǎn)生的瞬態(tài)信號(hào)損壞設(shè)備。IsoVu 探頭的低電容也盡量減少門電路上的探頭電容問題和瞬態(tài)信號(hào)損壞設(shè)備的風(fēng)險(xiǎn)。

憑借泰克全新 5 系示波器及 IsoVu 探頭，可以準(zhǔn)確捕獲高側(cè)門電路電壓波形，以便評(píng)估和優(yōu)化開關(guān)性能和可靠性，而不降低 dV/dt。

松下半導(dǎo)體解決方案案例

松下正在開發(fā)超快速、超高頻率 GaN 器件，包括 600V 等級(jí)的器件，這些器件將大大優(yōu)于 SiC 和基于硅的器件。潛在的 GaN 應(yīng)用包括服務(wù)器電源、太陽能逆電器、電動(dòng)汽車和 AC 電源適配器；除轉(zhuǎn)換效率高以外，GaN 器件還可以縮小電源的外部尺寸，同時(shí)在更高頻率上工作。

盡管有諸多優(yōu)勢(shì)，松下項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)在開發(fā)階段面臨一個(gè)極大的問題。其現(xiàn)有的測(cè)試設(shè)備特別適合硅功率器件，而 GaN 技術(shù)既在高電壓下工作，又在很高的頻率下運(yùn)行，因此要求測(cè)量系統(tǒng)擁有更高的性能，同時(shí)提供更加優(yōu)異的共模抑制比。使用示波器在氮化鎵 /GaN 功率器件上執(zhí)行差分測(cè)量時(shí)，松下半導(dǎo)體面臨諸多挑戰(zhàn)，特別是其試圖評(píng)估半橋電路設(shè)計(jì)的高側(cè)時(shí)，普通示波器探頭中的寄生電容會(huì)使開關(guān)波形失真。

松下項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)一直在努力探索 GaN 器件的高速開關(guān)性能，消除寄生電容的影響。前期使用傳統(tǒng)差分探頭進(jìn)行測(cè)量沒有得到預(yù)期結(jié)果，波形還會(huì)隨著探頭接入位置不同而明顯變化，因此無法進(jìn)行可重復(fù)測(cè)量?？紤]到這些測(cè)試挑戰(zhàn)，他們一直使用既耗時(shí)又復(fù)雜的手動(dòng)方式，主要是估算高側(cè)電路故障。很顯然他們需要一種方式把共模電壓與關(guān)注的差分信號(hào)隔離開，這就需要一種新型探頭技術(shù)，在高側(cè)電路上直接進(jìn)行測(cè)試。