CoWoS是臺積電最經(jīng)典的先進封裝技術(shù)之一。2011年至今，臺積電的CoWoS工藝已經(jīng)迭代至第五代，期間中介層面積、晶體管數(shù)量、內(nèi)存容量不斷擴大。英偉達、AMD、博通、Marvell等都是臺積電CoWoS工藝的大客戶。 

臺積電CoWoS結(jié)構(gòu)示意圖

自AIGC爆火之后，CoWoS也隨之成為行業(yè)焦點，行業(yè)重量級客戶持續(xù)對臺積電追加CoWoS訂單。為應(yīng)對大客戶需求，臺積電加快CoWoS先進封裝產(chǎn)能擴充腳步。

此外，臺積電還開發(fā)了廉價版的CoWoS技術(shù)，即InFO技術(shù)，降低了單位成本和封裝高度。這也是InFO技術(shù)在移動應(yīng)用和HPC市場成功的重要原因，為臺積電后來能獨占蘋果A系列處理器打下了關(guān)鍵基礎(chǔ)。

除了CoWoS和InFO，2018年，臺積電首度對外界公布了創(chuàng)新的系統(tǒng)整合單芯片(SoIC)多芯片3D堆疊技術(shù)SoIC，這標志著臺積電已具備直接為客戶生產(chǎn)3D IC的能力。作為業(yè)內(nèi)第一個高密度3D chiplet堆疊技術(shù)，SoIC被看作“3D封裝最前沿”技術(shù)。

憑借其凸塊密度更高，傳輸速度更快，功耗更低等優(yōu)勢，SoIC或?qū)⒊蔀樾袠I(yè)未來發(fā)展的主要封裝技術(shù)趨勢。當前，臺積電也正在積極上調(diào)SoIC的產(chǎn)能計劃，計劃到2024年年底，月產(chǎn)能躍升至5000-6000顆，以應(yīng)對未來AI和HPC的強勁需求。

可見，臺積電憑借其領(lǐng)先的先進封裝技術(shù)吃盡紅利。

當然，英特爾，三星兩位強敵在此領(lǐng)域也絲毫不敢懈怠。

英特爾通過多年技術(shù)探索，相繼推出了EMIB、Foveros和Co-EMIB等多種先進封裝技術(shù)，在互連密度、功率效率和可擴展性三個方面持續(xù)精進。

從英特爾發(fā)布的先進封裝技術(shù)藍圖來看，其計劃將傳統(tǒng)基板轉(zhuǎn)為更為先進的玻璃材質(zhì)基板，以實現(xiàn)新的超越；同時英特爾也將在布局硅光模塊中的CPO（共封裝光學）技術(shù)，通過玻璃材質(zhì)基板設(shè)計，利用光學傳輸?shù)姆绞皆黾有盘柦粨Q時的可用頻寬，以優(yōu)化算力成本。

結(jié)合英特爾在先進制程上一系列動態(tài)，外界預(yù)期，英特爾將結(jié)合先進制程與先進封裝兩條線，希冀在晶圓代工領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)“1加1大于2”的效果。

三星在2.5D/3D先進封裝技術(shù)領(lǐng)域同樣也在積極布局，并已經(jīng)推出I-Cube、X-Cube等先進封裝技術(shù)。針對2.5D封裝，三星推出的I-Cube技術(shù)可以和臺積電的CoWoS技術(shù)相媲美。針對3D封裝，三星在2020年推出X-Cube技術(shù)，將硅晶圓或芯片物理堆疊，并通過TSV連接，最大程度上縮短了互聯(lián)長度，在降低功耗的同時提高傳輸速率。 

另外，三星計劃在2024年量產(chǎn)可處理比普通凸塊更多數(shù)據(jù)的X-Cube封裝技術(shù)，并預(yù)計2026年推出比X-Cube處理更多數(shù)據(jù)的無凸塊型封裝技術(shù)。擁有從存儲器、處理器芯片的設(shè)計、制造到先進封裝業(yè)務(wù)組合的優(yōu)勢。