Intel 3工藝節(jié)點(diǎn)帶來的一些重大優(yōu)勢包括更密集的設(shè)計(jì)庫、更大的晶體管驅(qū)動(dòng)電流和更多EUV的使用。該節(jié)點(diǎn)還有三種變體，包括3-T、3-E 和 3-PT。前兩種變體與Intel 4相比，每瓦性能提升了18%，而PT則帶來了額外的性能并且易于使用。所有四種節(jié)點(diǎn)變體都支持240nm高性能和210nm高密度庫。其中，“T”代表硅通孔 (TSV)，這是一種垂直方向的電氣連接，可實(shí)現(xiàn)芯片元件之間或堆疊芯片之間的高速互連。

在英特爾看來，Intel 3將在未來至少十年內(nèi)長期支持代工廠客戶，從而為汽車和物聯(lián)網(wǎng)等需要更長生命周期的應(yīng)用打開大門。Intel 3的生產(chǎn)爬坡不僅僅是一項(xiàng)制造成就，它代表了英特爾代工廠的一個(gè)重要里程碑和證明點(diǎn)。

值得一提的是，Intel 3節(jié)點(diǎn)是英特爾路線圖上的最后一代FinFET節(jié)點(diǎn)，因?yàn)閺南乱淮_始，英特爾就開始推出了其GAA晶體管RibbonFET。

在5月的財(cái)報(bào)電話會(huì)議上，Intel CEO帕特·基辛格(Pat Gelsinger)指出，公司的第一代GAA RibbonFET工藝，即intel 20A，有望在今年推出；后續(xù)產(chǎn)品是intel 18A，預(yù)計(jì)將于2025年上半年投入生產(chǎn)，并逐步推進(jìn)至2027年的Intel 10A節(jié)點(diǎn)。

英特爾兩大利器分別是RibbonFET和PowerVia技術(shù)：RibbonFET是英特爾對GAA晶體管的實(shí)現(xiàn)，它將成為英特爾自2011年率先推出FinFET以來的首個(gè)全新晶體管架構(gòu)；PowerVia是英特爾獨(dú)有的、業(yè)界首個(gè)背面電能傳輸網(wǎng)絡(luò)，通過消除晶圓正面供電布線需求來優(yōu)化信號傳輸。

在英特爾的規(guī)劃中，還將率先采用ASML最新的High-NA EUV光刻機(jī)，這也是與競爭對手不同的點(diǎn)。英特爾表示，新工具能夠大幅提高下一代處理器的分辨率和功能擴(kuò)展能力，使英特爾代工廠能夠在英特爾18A之后繼續(xù)保持工藝領(lǐng)先地位。

與此同時(shí)，英特爾也在持續(xù)加大力度，今年2月公布了Intel 14A制程，采用了High-NA EUV技術(shù)，預(yù)計(jì)最快于2026年量產(chǎn)。而最新的14A-E版本則在14A基礎(chǔ)上進(jìn)一步提升了能耗效率。