日前，三星在2024年三星代工論壇上公布了其芯片制造工藝技術(shù)的最新路線圖，涉及的重點(diǎn)包括2納米/1.4納米工藝，以及將在未來三年內(nèi)向客戶提供具有背面供電技術(shù)的路線圖。
其中，SF2節(jié)點(diǎn)（以前稱為SF3P）預(yù)計(jì)會(huì)在2025年推出，主要針對(duì)高性能計(jì)算和智能手機(jī)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。與3nm工藝（SF3）相比，三星的2nm工藝性能提升12%，功率效率提升25%，面積減少5%。
2026年，三星計(jì)劃推出SF2P，這是SF2的性能增強(qiáng)版本，其特點(diǎn)是速度更快但密度更低；2027年，三星將發(fā)布SF2Z，該產(chǎn)品將采用背面供電技術(shù)(BSPDN)，從而提高性能并增加晶體管密度。此外，這一改進(jìn)還旨在提高電源質(zhì)量和管理壓降(IR Drop)，以應(yīng)對(duì)先進(jìn)芯片生產(chǎn)過程中的關(guān)鍵挑戰(zhàn)。
三星SF1.4節(jié)點(diǎn)（1.4納米）計(jì)劃，標(biāo)志著三星將有望在2027年進(jìn)入1.4 納米級(jí)別賽道。與SF2Z不同的是，SF1.4將不包括背面電源傳輸，這使三星有別于英特爾和臺(tái)積電，后者將在其2nm級(jí)和1.6nm級(jí)節(jié)點(diǎn)上引入背面供電技術(shù)。
