根據(jù)計(jì)算，Vbus等于400V時(shí)，動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻約為93mΩ；Vbus等于600V時(shí)，動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻約為95m歐姆；Vbus等于800V時(shí)，動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻約為101mΩ。相比在靜態(tài)條件下測(cè)試得到的導(dǎo)通電阻74mΩ，開關(guān)條件下隨Vbus電壓上升，器件的動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻退化非常有限，且阻值非常接近靜態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試結(jié)果。
過(guò)去幾年里，行業(yè)對(duì)于GaN功率器件是否能夠突破小眾應(yīng)用場(chǎng)景一直保持疑慮。1000V以上應(yīng)用市場(chǎng)仍然屬于硅基IGBT和SiC功率器件。GaN大規(guī)模應(yīng)用意味著它必須支持更寬泛的電壓電流范圍，更多的應(yīng)用場(chǎng)景，以及更好的性價(jià)比。量芯微通過(guò)不懈努力，使平面結(jié)構(gòu)GaN器件實(shí)現(xiàn)1200V高壓工作，其高壓GaN在開關(guān)和靜態(tài)特性上已經(jīng)可以媲美相同規(guī)格的SiC器件。這將為GaN功率器件進(jìn)一步拓展了新能源，電動(dòng)汽車，電力電子等行業(yè)的應(yīng)用場(chǎng)景，打開了新的可能性。
