3、寄生電容、CV特性、柵極電阻Rg測試技術

由前述知識可見，功率器件的寄生電容的測試，需要滿足下列幾點：

①由于寄生電容基本在pF級別至nF級別，測試頻率至少需要100kHz-1MHz，這些可由參數表找到；

②測試寄生電容時，用于測試的LCR或者阻抗分析儀至少需要2路直流電源，其中VDS需要電壓很高，由幾十V至幾百V，第三代半導體功率器件甚至需要幾千V；

③參數表中CV特性曲線，需要可變的VDS，因此DS電壓源需要可調電源。

具體幾個寄生電容極柵極電阻測試原理如下：

二、半導體功率器件CV特性測試痛點

現今，市場上功率器件CV特性測試儀器，普遍存在下列痛點：

1、進口設備

進口設備功能全、一體化集成度高、測試準確，但是有如下缺點：

a) 價格昂貴，動則幾十萬甚至上百萬的價格，一般企業(yè)很難承受。

b) 操作繁瑣，集成了太多功能加上大多英文化的操作界面，對于用戶操作并不友好。

c) 測試效率低，一臺設備可能完成動態(tài)特性、靜態(tài)特性的全部測試，但是接線復雜、操作難度大，測試結果用時較長， 測試效率無法保障。

2、國產設備

在進口設備無法滿足用戶測試需求的情況下，國產設備應運而生，以相對功能單一、操作方便、價格低廉快速占領了一部分市場，但是，這些設備同樣也有如下缺點：

a） 體積龐大，大多數國產設備，由于沒有專業(yè)的電容測試經驗，通常是用幾臺電源、一臺LCR、工控機或者PLC、機箱、 測試工裝等組合而成，因此體積過大，無法適用于自動化產線快速生產。

b） 漏源電壓VDS過低，大多最高只能達到1200V左右，已無法滿足第三代半導體功率器件測試需求。

c） 測量精度低，由于缺乏專業(yè)電容測量經驗，加上過多的轉接，導致電容特別是pF級別的小電容無法達到合適的測量精度。

d） 測試效率低，同樣由于組合儀器過多，加上需用工控機或PLC控制過多儀器，導致測試單個器件時間過長。

e） 擴展性差，由于設備過多，各種儀器不同的編程協議，很難開放第三方接入以集成至客戶產線自動化測試整體方案中。

三、同惠半導體功率器件CV特性解決方案

針對當前測試痛點，同惠電子作為國產器件測量儀器頭部企業(yè)，責無旁貸的擔負起進口儀器國產化替代的責任，本著為客戶所想、為客戶分憂的精神，契合市場熱點及需求，及時推出了針對半導體功率器件CV特性的一體化、系列化解決方案。

單管或者多個MOSFET、IGBT測試解決方案

單管器件或者多個單管器件測試相對簡單，同惠提供了TH510系列半導體C-V特性分析儀即可滿足基本測試要求。TH510系列半導體半導體C-V特性分析儀基本情況如下：