如果說晶體管能夠被稱為20世紀(jì)一項(xiàng)偉大的發(fā)明,對(duì)科技發(fā)展以及生產(chǎn)發(fā)展做出不可磨滅的貢獻(xiàn)，那么毫無疑問, MOSFET跟IGBT功不可沒。如今,大至功率變換:器,小至內(nèi)存、CPU等各類電子設(shè)備核心元件,無-不用到它們, 下面我們將它們一一道來。

什么是MOSFET?

MOSFET,金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場(chǎng)效晶體管,內(nèi)部具有三個(gè)極，分別是G柵極、D漏極、S源極。是一種可以廣泛應(yīng)用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管。一般電子電路中,由于MOS管具有輸入阻抗高,開關(guān)速度快，工作頻率高，常應(yīng)用于開關(guān)電源,鎮(zhèn)流器,高頻感應(yīng)加熱,高頻逆變焊機(jī),通信電源等等高頻電

源領(lǐng)域。

什么是IGBT?

IGBT,絕緣柵極型功率管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式電力電子器件,其內(nèi)部也擁有三個(gè)極, G[門極,E發(fā)射極，C集電極。IGBT是能源變換傳輸與控制的核心開關(guān)器件,廣泛應(yīng)用于交流電機(jī)、變頻;器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

總的來說,憑借MOSFET的良好高頻特性,開關(guān)速度快,或者在較小的輸出功率場(chǎng)合時(shí),表現(xiàn)卓越。在輸出較大功率的場(chǎng)合時(shí)，由于IGBT具有輸入阻抗高,電壓控制能耗低，可以承受大電流的特性,作為一個(gè)耐高壓的電子半導(dǎo)體開關(guān)器件,在大功率;電子電路中獲得廣泛的應(yīng)用。

在如此開關(guān)器件廣泛應(yīng)用各類行業(yè)的背景下,工程師如何選擇一款合 適的開關(guān)器件,能穩(wěn)定可靠的融入到自己所設(shè)計(jì)的電路中,此時(shí)就需要工程師了解器件動(dòng)態(tài)特性以及極限特性,而優(yōu)利德全新推出的工業(yè)測(cè)試儀器產(chǎn)品,能夠滿足高標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)試需求。

測(cè)試項(xiàng)目

◆器件在長時(shí)間工作時(shí)溫度的變化特性

◆開通與關(guān)斷時(shí)極限沖擊電壓特性

◆柵極驅(qū)動(dòng)電壓特性

◆開通時(shí)間、關(guān)斷時(shí)間特性

◆導(dǎo)通電阻特性

測(cè)試方式

測(cè)試結(jié)果：

儀器介紹

優(yōu)利德推出工業(yè)儀器混合數(shù)字熒光示波器MSO30001系列,函數(shù)/任意波發(fā)生器UTG9000I系列，線性可編程直流穩(wěn)壓電源UDP3305S系列,多路溫度測(cè)試儀UT3200系列,直流電阻測(cè)試儀UT3510系列?？梢詭椭泳_、穩(wěn)定地測(cè)出所需要的數(shù)據(jù)。以下介紹為優(yōu)利德公司工業(yè)測(cè)試儀器及其特點(diǎn):

方案優(yōu)勢(shì)

1.可靠、可重復(fù)地測(cè)試IGBT及MOSFET功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)特征

2.測(cè)量的特征包括開啟、關(guān)閉、.上升下降時(shí)間等

3.精確、穩(wěn)定地測(cè)出器件在特定環(huán)境下的溫度特性、導(dǎo)通電阻特性、電壓特性等

4.適用于用戶對(duì)測(cè)試環(huán)境的準(zhǔn)確掌控和把握

5.配套使用優(yōu)利德測(cè)試測(cè)量儀器、探頭、讓測(cè)試測(cè)量更加方便、簡單、高效

方案推薦