一、測試需求

隨著智能電網(wǎng)、汽車電氣化等應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展，功率半導體器件逐漸往高壓、高頻方向發(fā)展，功率分立器件的演進路徑基本為二極管→晶閘管→MOSFET→IGBT，其中，IGBT是功率半導體新一代中的典型產(chǎn)品。

在半導體功率器件行業(yè)突飛猛進的同時，對應(yīng)的測試行業(yè)也得到了飛速的發(fā)展。這對于設(shè)計工程師來說卻帶來了非常大的測試挑戰(zhàn),如何保證選用的高速功率器件能穩(wěn)定可靠的運行在自己的電源產(chǎn)品中,我們需要了解功率器件的動態(tài)特性：

二、測試平臺搭建

泰克推出了IGBT Town功率器件支持單脈沖,雙脈沖及多脈沖測試方案,集成強大的發(fā)生裝置數(shù)據(jù)測試裝置及軟件。用戶可以自定義測試條件,測試項目包含:

系統(tǒng)測試圖

三、測試說明

采用雙脈沖法,用信號發(fā)生器設(shè)置脈寬為1uS,周期為2.5uS,脈沖次數(shù)為2次,示波器采用單次觸發(fā)。

采用MSO58功率器件分析功能可以直接得出CoolGaN TM的動態(tài)參數(shù)。左下的測試提示Ic off是因為英飛凌的CoolGaN“完全沒有反向恢復(fù)電流,從測試數(shù)據(jù)中可以看到基于英飛凌的CoolGaN TM專用驅(qū)動1EDF5673K下的CoolGaN TM IGO60R070D1速度還是非?？斓?。

四、方案配置

推薦解決方案：

泰克示波器MS054+ 5-wins +5-PWR+ TIVM02+TIVH08 +TCP0030A+IGBT town軟件

五、方案優(yōu)勢

可靠、可重復(fù)地測試IGBT及MOSFET (包括第三代半導體器件SiC、GaN )功率半導體動態(tài)特征。

測量的特征包括開啟、關(guān)閉、開關(guān)切換、反向恢復(fù)、柵極驅(qū)動,開關(guān)損耗等參數(shù)。

適用于用戶對測試環(huán)境的自定義。

全部使用泰克示波器及原廠電源探頭,可準確補償探頭的延遲,專用的開關(guān)損耗算法,提供可靠的測試結(jié)果。

獨特的ISOvU探頭,最高800MHz帶寬高達120dB共模抑制比,準確測試驅(qū)動信號的真實情況。