有許多型號(hào)單片機(jī)的內(nèi)部均不具備掉電復(fù)位功能，即使對(duì)于內(nèi)部包含該功能的PIC單片機(jī)，其復(fù)位門檻電壓值是固定不可更改的，有時(shí)不能滿足用戶的需求，因此，外加電壓檢測(cè)復(fù)位電路也是較常見的設(shè)計(jì)方案。

對(duì)于片內(nèi)帶有掉電復(fù)位功能BOR的PIC單片機(jī)，在使用外接電壓檢測(cè)復(fù)位電路時(shí)，就必須將內(nèi)部BUR功能禁止，方法是將系統(tǒng)配置字的BUDEN位設(shè)置為0。

對(duì)于內(nèi)部不帶BOR功能的PIC單片機(jī)，其電源控制寄存器PCUN沒有BOR標(biāo)志位，無法準(zhǔn)確識(shí)別由外接電壓檢測(cè)復(fù)位電路引起的單片機(jī)復(fù)位，因此在程序執(zhí)行過程中在MCLR引腳施加了人工復(fù)位信號(hào)引起的復(fù)位。

與外接電壓檢測(cè)復(fù)位電路相關(guān)的單片機(jī)片內(nèi)等效電路如圖1所示，從該圖可以看出，外接電壓檢測(cè)復(fù)位電路時(shí)，單片機(jī)內(nèi)部的兩個(gè)定時(shí)器不參與工作。

圖1 與外接電壓檢測(cè)復(fù)位電路相關(guān)的單片機(jī)片內(nèi)等效電路

電路設(shè)計(jì)

（1）外接分立元件電壓檢測(cè)復(fù)位電路。

下面給出了兩種不利用分離元器件搭建的電壓檢測(cè)復(fù)位電路。電路工作原理是，當(dāng)VDD下降到某一門檻值時(shí)，三極管截止，從而使MCLR端電平變低，迫使單片機(jī)復(fù)位。圖2中該門檻值為VDD＜Vz十0.7V，其中Vz是穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓的值，而圖3中該門檻值為VDD＜0.7V（R1＋R2）／R1。

圖2 外加電壓檢測(cè)復(fù)位電路（VDD＜Vz十0.7V）

圖3 外加電壓檢測(cè)復(fù)位電路（VDD＜0.7V（R1＋R2）／R1）

（2）外接專用芯片電壓檢測(cè)復(fù)位電路。

圖4所示為一種利用專用芯片HT70XX搭建的電壓檢測(cè)復(fù)位電路。臺(tái)灣HOLTEK公司研制的HT70XX系列集成電路是一組采用CMOS工藝制造的電源欠壓檢測(cè)器，其包裝形式有三腳直插式封裝和貼片式封裝兩種。

圖4 由HT70XX構(gòu)建的外加電壓檢測(cè)復(fù)位電路