包括光伏逆變器、電氣驅(qū)動裝置、UPS及HVDC在內(nèi)的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，需要柵極驅(qū)動器、微控制器、顯示器、傳感器及風扇來使系統(tǒng)正常運行。這類產(chǎn)品需要能夠提供12V或24V低電壓電源的輔助電源。輔助電源則需要輸入通常工業(yè)設(shè)備所使用的三相400/480V AC電源、或太陽能光伏逆變器所使用的高電壓DC電源才能工作。本文將介紹融入了ROHM的SiC技術(shù)優(yōu)勢且設(shè)計簡單、性價比高的電源解決方案。

小型輔助電源用SiC MOSFET

圖1是輔助電源所用的普通電路。在某些輸入電壓條件下，MOSFET的最高耐壓需要達到1300V。為了確保安全，需要一定的電壓余量，因此一般來講至少需要使用額定電壓1500V的產(chǎn)品。當然也可以使用具有同樣絕緣擊穿電壓的Si MOSFET，但損耗將變大，故而需要昂貴且厚重的散熱器。
 

 
圖1. 普通反激式轉(zhuǎn)換器方式的輔助電源拓撲

另外還有使用更復雜的拓撲結(jié)構(gòu)(雙端反激式轉(zhuǎn)換器方式、低電壓器件串聯(lián)等)而不使用1500V MOSFET的做法。但是，這些做法不僅會增加設(shè)計難度，還會使部件數(shù)量增加。

如果使用特定導通電阻僅為1500V Si-MOSFET的1/2(參見圖2)的1700V SiC-MOSFET，則輔助電源的設(shè)計者們將能夠使用簡單的單端反激式轉(zhuǎn)換器的拓撲，從而獲得小巧的身材和良好的性能。ROHM擁有完全塑封的TO-3PFM封裝以及表面貼裝型封裝(TO-268-2L)技術(shù)，并提供適用于此類應(yīng)用的高耐壓SiC-MOSFET。這些產(chǎn)品的特點是分別可確保5mm和5.45m的爬電距離。

圖2. 特定導通電阻條件下的Si和SiC MOSFET性能比較

極具性價比且實現(xiàn)SiC單端反激式拓撲結(jié)構(gòu)的控制IC

采用了SiC-MOSFET的反激式轉(zhuǎn)換器的輔助電源解決方案，因采用了ROHM的控制IC而更具魅力和吸引力。這種控制IC的設(shè)計利用反激式轉(zhuǎn)換器安全可靠地驅(qū)動SiC-MOSFET，而且不會因柵極驅(qū)動器IC而變得復雜。

ROHM針對目前可入手的幾款SiC-MOSFET，開發(fā)出特別滿足各元器件柵極驅(qū)動所需條件的準諧振AC/DC轉(zhuǎn)換器控制IC“BD768xFJ”并已實施量產(chǎn)。這款控制IC與ROHM的1700V耐壓SiC-MOSFET相結(jié)合，可以最大限度地發(fā)揮產(chǎn)品的效率與性能。BD768xFJ不僅可控制所有的反激式電路，還能夠以適當?shù)臇艠O電壓驅(qū)動SiC-MOSFET，從而保證最佳性能。此外，還可通過柵極箝位功能和過載保護功能來保護SiC-MOSFET。
BD768xFJ這款控制IC，采用小型SOP8-J8封裝，具備電流檢測用的外置分流電阻和過負載、輸入欠壓、輸出過電壓保護等保護功能以及軟啟動等功能。搭載了準諧振開關(guān)，以在全部工作范圍內(nèi)將EMI抑制在最低水平，并降低開關(guān)損耗。另外，為了優(yōu)化在低負載范圍的工作，控制器還安裝了突發(fā)模式工作和降頻功能。

下圖中是采用了BD768xFJ控制IC和ROHM生產(chǎn)的1700V耐壓SiC-MOSFET的輔助電源的主要電路，簡單而又高性能。